Transistor Mosfet IRF640, Canal N, 200V, 18A, TO-220

Transistor Mosfet IRF620, Canal N, 200V, 18A, TO-220

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRF640 es un mosfet de potencia que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo robusto y de baja resistencia.

Aplicaciones: Control de Potencia, Industrial, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo 

Características Básicas:
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 18 A
Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
Resistencia de activación Rds(on): 0.15 ohm
Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
Tensión umbral Vgs: 4 V
Disipación de potencia Pd: 150 W
Temperatura de operación máxima: 175°C
Encapsulado: TO-220, 3 pines

¿Qué se Entrega?
1 x Transistor Mosfet IRF640, Canal N, 200V, 18A, TO-220